SN3 Series-IGBT塑料方壳针式引出吸收电容器

SN3 Series-IGBT塑料方壳针式引出吸收电容器

SN3系列电容器是为阻呢吸收和脉冲应用环境设计的。高频和高脉冲应用要求,对于IGBT联接应用非常可靠。除本手册产品外,如有特殊需求,可对参数、尺寸等进行定制。

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SN3系列电容器是为阻呢吸收和脉冲应用环境设计的。高频和高脉冲应用要求,对于IGBT联接应用非常可靠。除本手册产品外,如有特殊需求,可对参数、尺寸等进行定制。

SN3 Series – IGBT塑料方壳针式引出吸收电容器产品说明书下载(点击下载


产品概述
设计标准:IEC 61071,IEC 60068,ROHS设计标准:IEC 61071,IEC 60068,ROHS设计标准:IEC 61071,IEC 60068,ROHS
介质材料:金属化聚丙烯膜(PP) 
结构封装:塑料方壳,环氧树脂,镀锡铜线引出。
电容器采用双面金属化聚丙稀或聚脂膜,内部串联连接,塑料方壳,环氧树脂封装。

应用:
SN3系列电容器是为阻呢吸收和脉冲应用环境设计的。高频和高脉冲应用要求,对于IGBT联接应用非常可靠。除本手册产品外,如有特殊需求,可对参数、尺寸等进行定制。

优点:
自愈性 
低损耗
高纹波电流
内部串联连接
电容量与温度变化为负向的

产品特性
容量范围:  0.047μF ... 7.5μF
额定电压(UNDC): 700V ... 2000V
容量偏差:K:±10% ,J: ±5%
工作温度:-40℃~+105℃  
存储温度:-40℃~+105℃                                                      
气候类别:40/85/56 
介质损耗: 2×10-4
损耗角正切:≤5×10-4(1kHz;20±5℃)
极间耐压:1.5倍额定电压(50HZ;10s ;20±5°C)
极壳耐压:≥4000VAC (10s;50Hz)
绝缘电阻:(Ri x C )≥ 10,000S(100 VDC;60秒; 25°C)
预期寿命:100,000 小时(额定工况;热点温度≤85℃)
失效率:50 fit


内部结构: